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一、團(tuán)隊(duì)簡介

本團(tuán)隊(duì)依托于浙江大學(xué)硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。硅材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室是我國從事半導(dǎo)體材料基礎(chǔ)研究和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化的主要基地之一。團(tuán)隊(duì)多次獲得國家級(jí)科技獎(jiǎng)勵(lì)，包括國家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)4項(xiàng)，國家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)4項(xiàng)，培育出了浙江金瑞泓科技股份有限公司等知名半導(dǎo)體材料企業(yè)，取得了顯著經(jīng)濟(jì)效益。自上世紀(jì)90年代以來，實(shí)驗(yàn)室研究方向從半導(dǎo)體硅材料向半導(dǎo)體薄膜材料、復(fù)合半導(dǎo)體材料等不斷拓寬。目前，正著力布局寬禁帶半導(dǎo)體材料研究，力爭(zhēng)在先進(jìn)半導(dǎo)體器件模塊通力合作，在寬禁帶半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)研究和產(chǎn)業(yè)化上取得重要突破。

二、招聘崗位

本團(tuán)隊(duì)共計(jì)劃招聘8人。

（1）根據(jù)應(yīng)聘者條件安排以下崗位：2人

1）首席專家；

2）主任工程師；

3）開發(fā)工程師；

4）技術(shù)員。

•招聘方向

材料、電子、光電、物理和化學(xué)

•崗位職責(zé)

1）負(fù)責(zé)寬禁帶半導(dǎo)體材料單晶制備或外延薄膜的生長；

2）設(shè)計(jì)有關(guān)寬禁帶半導(dǎo)體材料制備的工藝方案，建立和維護(hù)工藝菜單；

3）分析寬禁帶半導(dǎo)體材料制備工藝的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，開展技術(shù)攻關(guān)與技術(shù)改進(jìn)工作；

4）相關(guān)工藝設(shè)備的使用和維護(hù)。

•崗位要求

1）具有晶體生長、材料物理與化學(xué)和半導(dǎo)體物理等基礎(chǔ)理論知識(shí)；

2）具有材料、電子、光電、物理和化學(xué)等相關(guān)專業(yè)的碩士及以上學(xué)歷；

3）具有兩年以上從事半導(dǎo)體單晶材料制備/半導(dǎo)體外延薄膜生長的經(jīng)驗(yàn)；

4）熟悉半導(dǎo)體材料和器件的測(cè)試技術(shù)；

5）能夠?qū)に囯y題進(jìn)行分解，找出困難點(diǎn)，制定計(jì)劃并且解決；

6）良好的英文交流和閱讀能力。

（2）根據(jù)應(yīng)聘者條件安排以下崗位：3人。

1）領(lǐng)域首席科學(xué)家；

2）平臺(tái)科學(xué)家；

3）卓越/研發(fā)中心主任；

4）技術(shù)開發(fā)專家、預(yù)研專家、領(lǐng)域?qū)＜摇?/p>

•招聘方向

材料、電子、光電、物理和化學(xué)

•崗位職責(zé)

1）從事寬禁帶半導(dǎo)體材料的相關(guān)研究工作，與平臺(tái)的寬禁帶半導(dǎo)體器件研究人員緊密合作；

2）申請(qǐng)各類科研項(xiàng)目，發(fā)表高水平研究論文或解決國家重大需求；

3）指導(dǎo)研究生開展科研工作；

4）組建和領(lǐng)導(dǎo)包含工程技術(shù)人員的科研團(tuán)隊(duì)。

•崗位要求

1）博士學(xué)位，具有扎實(shí)的晶體生長、材料物理與化學(xué)、半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件等相關(guān)理論知識(shí)；

2）具有豐富的半導(dǎo)體材料單晶制備或外延薄膜生長經(jīng)驗(yàn)；

3）具有開闊的戰(zhàn)略視野，能敏銳把握本學(xué)科領(lǐng)域國家戰(zhàn)略需求和世界科技前沿發(fā)展態(tài)勢(shì)，有自己的研究思路，熟悉所在領(lǐng)域的前沿?zé)狳c(diǎn)。在相關(guān)領(lǐng)域取得過重要原始性創(chuàng)新成果或做出過重要的科技創(chuàng)新貢獻(xiàn)；

4）具有良好的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)以及獨(dú)立開展科研工作的能力；

5）具有良好的英語交流、閱讀和寫作能力。

（3）博士后：3人

•招聘方向

材料、電子、光電、物理和化學(xué)

•崗位職責(zé)

1）從事寬禁帶半導(dǎo)體材料的相關(guān)研究工作，與平臺(tái)的寬禁帶半導(dǎo)體器件研究人員緊密合作；

2）撰寫技術(shù)報(bào)告，發(fā)表高水平研究論文或解決國家卡脖子問題。

•崗位要求

1）博士學(xué)位，具有扎實(shí)的晶體生長、材料物理與化學(xué)、半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件等相關(guān)理論知識(shí)；

2）具有半導(dǎo)體材料單晶制備或外延薄膜生長經(jīng)驗(yàn)的優(yōu)先考慮；

3）在博士研究生階段取得過重要原始性創(chuàng)新成果或做出過重要的科技創(chuàng)新貢獻(xiàn)；

4）具有良好的團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)以及獨(dú)立開展科研工作的能力；

5）具有良好的英語交流、閱讀和寫作能力。

三、聯(lián)系方式

聯(lián)系人：皮孝東老師

e-mail：，郵件標(biāo)題注明：應(yīng)聘崗位+本人姓名+學(xué)位+畢業(yè)學(xué)校+所學(xué)專業(yè)+高校人才網(wǎng)